Ионный имплантер китайского производства дал успешное ускорение до 1 млн эВ

Дата: 11:29, 01-07-2020.


Высокоэнергетический ионный имплантер, являющийся самостоятельно разработкой Китайской электронной научно-технологической корпорации, успешно осуществил высокоэнергетическое ионное ускорение в 1 млн эВ (электрон-вольт). Об этом сообщает Синьхуа.
Ионный имплантер имеет ключевое значение для производства микросхем, а высокоэнергетический ионный имплантер необходим для изготовления интегральных схем, которые используются в логике, памяти и видеосенсорах.
Высокоэнергетический ионный имплантер может значительно улучшить характеристики устройств, особенно видеосенсоров, которые широко используются в охранной и потребительской электронике.
Китай завершил разработку ионных имплантеров со средними и высокими токами, которые могут передавать энергию до сотен кэВ. Первый высокоэнергетический ионный имплантер будет доступен к концу 2020 года.

Поделиться новостью: